MRF6S20010NR1 MRF6S20010GNR1
19
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 9. Common Source Scattering Parameters
(VDD
=28V,IDQ
= 126 mA, TA
=25?C, 50 ohm system)
(continued)
f
MHz
S11
S21
S12
S22
|S11|
??
|S21|
??
|S12|
??
|S22|
??
2500
0.923
--177.5
0.666
5.462
0.006
42.56
0.957
--177.2
2550
0.927
--178.0
0.625
3.680
0.006
52.25
0.962
--177.8
2600
0.937
--178.8
0.591
1.864
0.006
60.26
0.961
--178.4
2650
0.937
--179.0
0.559
0.237
0.007
64.14
0.964
--179.1
2700
0.942
--179.8
0.529
--1.378
0.007
65.62
0.964
--179.6
2750
0.945
--179.9
0.504
--2.768
0.007
64.71
0.964
179.7
2800
0.946
179.5
0.479
--4.088
0.007
67.58
0.966
179.4
2850
0.950
179.3
0.456
--5.412
0.007
75.44
0.966
178.8
2900
0.949
178.8
0.436
--6.305
0.008
82.04
0.964
178.3
2950
0.952
178.5
0.419
--7.279
0.009
83.60
0.967
177.9
3000
0.950
178.4
0.402
--8.087
0.011
83.41
0.968
177.4
3050
0.958
177.9
0.387
--9.138
0.012
81.35
0.964
176.8
3100
0.953
177.7
0.373
--9.904
0.013
77.45
0.969
176.4
3150
0.957
177.2
0.362
--10.86
0.014
70.98
0.970
176.2
3200
0.960
177.4
0.350
-- 11 . 7 9
0.013
67.00
0.970
175.5
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